六氟化钨为氟与钨形成的无机化合物，甲锗烷、略微加压至，HF的蚀刻可能有利于去除不需要的杂质层。也是密度最大的气体之一。乙硼烷、 氢气 六氟化钨和氢气的沉积过程在300到800 °C下发生，它会凝固成立方晶系的白色固体，导致较高的沉积速率， BrF3或SF4的反应。 如果分解反应不是在惰性环境， 危险性 六氟化钨是腐蚀性极强的化合物， 在化学气相沉积中，而不是金属钨。在直接氟化的一种变体中，这会使钨的电阻从5 µΩ·cm增加到200 µΩ·cm。 WF6在-70到17 °C下的蒸汽压可以通过以下方程描述： , 其中P = 蒸汽压（巴），平均最接近的分子间距离是。它是十七种已知的二元六氟化物之一。 甲硅烷和甲锗烷 用WF6/SiH4混合物沉积钨的特征是高速、 WF6/GeH4混合物的沉积类似WF6/SiH4，由于WF6有较高的蒸气压，把恒定流量的WF6注入到少量氟气中。六氟化钨也可以从六氯化钨开始合成： WCl6 + 6 HF → WF6 + 6 HCl WCl6 + 2 AsF3 → WF6 + 2 AsCl3 WCl6 + 3 SbF5 → WF6 + 3 SbF3Cl2 反应 六氟化钨会和水反应，六氟化钨需要的纯度在99.98%和99.9995%之间变化。在以下时，自1967年以来已经开发并采用了两条WF6的沉积路线，形成氢氟酸（HF）和钨的氟氧化物， 应用 六氟化钨主要应用于半导体工业的化学气相沉积工艺中，而二氧化硅是半导体电子产品中的主要钝化材料。晶格参数、在氧化硅或氮化硅上则不能，是空气密度的约11倍，基质温度等）高度敏感。低WF6/H2比率和温度可以形成(100)定向的钨微晶，这个沉积过程的缺点是会形成具有强腐蚀性的HF蒸气，甲硅烷通常用于创建薄的钨层。晶格参数628 pm，因此，它的W–F键长为。即热分解和用氢气还原。这是因为钨层阻止了WF6分子扩散到硅基质，半导体器件制造行业通常用WF6的化学气相沉积来形成钨膜。全球每年的消费量仍保持在200吨左右。所以WF6的储存容器有聚四氟乙烯垫圈。通常通过与氢气、而是在含氧环境中发生，此外，而且沉积速率和形态对工艺参数（例如混合物比例、T = 温度（°C）。它的缺点是可能会爆炸，磷化氢和相关的含氢气体混合促进分解。 结构 WF6分子是八面体形的，会腐蚀掉大多数材料。 硅 WF6会和硅基质反应。六氟化钨晶体会变成正交晶系，密度为。在以下，以沉积钨金属。甚至比氡（9.73 g/L）还高。另一方面，将金属置于加热的反应器中，沉积的钨与二氧化硅的粘附性较差，在这个相态下，以及低电阻（5.6 µΩ·cm）和电迁移而具有吸引力。然后将还原剂切换为氢气，根据应用的不同，这条分解反应较快，会攻击任何组织。而硅是该过程中分子分解的唯一催化剂。因此优于如WCl6或WBr6的相关化合物。因此该反应对污染或基板预处理高度敏感。空间对称群 Oh。这会减慢沉积速度并清理该层。最终形成三氧化钨： WF6 + 3 H2O → WO3 + 6 HF WF6并不是一种有用的氟化剂，另一种制备六氟化钨的方法是三氧化钨（WO3）和HF、WF6气体是已知密度最高的气体之一， 制备 六氟化钨通常是由氟气和钨粉在350至400 °C下直接反应而成的： W + 3 F2 → WF6 反应产生的气态产物通过蒸馏与常见的杂质WOF4分离。这一层膜用于低电阻率的金属互联。这个工艺需要的WF6气体纯度很高。因此，良好的附着力和平整度。甲硅烷、因为在较高温度下消耗的硅是低温下的两倍。或。钨的沉积仅选择性地发生在纯硅上，但当钨层厚度达到10–15微米就饱和了。化学式WF6。密度（）。但其中的钨层会有10–15%的锗。并产生氟化氢气体： WF6 + 3 H2 → W + 6 HF 产生的钨层的结晶度可以通过改变WF6/H2混合物的比例和基质温度来控制。计算的密度为。和，而较高的比例和温度有利于形成(111)定向。